超越3D ...... SK海力士成功开发出96阶段4D NAND闪存

作者:安疙氤

<p>SK海力士成功开发了从现有3D(3D)NAND闪存半导体产品发展而来的“4D NAND Flash”</p><p>继全球顶级DRAM之后,NAND闪存市场正在预见基于技术的突破</p><p> NAND闪柱是,不像在半导体作为电源的d-RAM存储器被切断时,数据被保持,直至所述移动设备和所述数据中心在大容量存储设备被广泛使用</p><p> SK海力士是第四3D NAND闪存主要适用于1996年只有512千兆(GB)类TLC世界(三电平单元)4D NAND闪存,它结合了PUC(围下的细胞)技术的CTF(电荷捕获闪存)结构该公司表示</p><p> CTF是一个主要克服由性能和生产技术在现有的2D NAND革命性的“浮置栅极”被用来最小化(用于存储信息的区域)小区之间的干扰的限制,大多数存储器区域到3D NAND它已被采纳</p><p> PUC是用于在小区区域下方设置外围电路以存储数据以控制小区操作的技术</p><p> SK海力士解释说,它已经在其名称中添加了“4D”,以强调它首次基于CTF引入PUC技术的差异化</p><p> “我做到了” SK海力士NAND闪存核心96 4D开发引入了一个96 512千兆(GB)TLC 4D NAND快闪晶片和点菜产品和解决方案,最近完成了清M15植物</p><p> SK海力士提供的该产品比现有的72 512GB 3D NAND 30%或更多降低芯片尺寸,每个晶片的生产位被增加1.5倍</p><p>另一个共同加工数据进行了改进达行业领先的64千字节(KB),分别比写多30%,读性能为72级的产品,25%</p><p>特别是因为它减少了芯片的尺寸可以完全替代现有的256GB 3D NAND二是在制造成本有利的,因为一个方面突出了公司的一侧</p><p>还通过引入多栅极绝缘膜结构与新的设计技术添加,提高数据传输速率在工作电压降低到1.2V(伏特)与以往相比72具有改进的功率效率的同时</p><p> SK海力士开发了基于它的96级512千兆(Gb)TLC 4D NAND闪存和解决方案产品</p><p> SK海力士在八月提供的美国圣克拉拉拉开了“闪存峰会“(FMS)在4D基于NAND的下一代NAND闪存解决方案balhyeotdeon的发射计划SK海力士正在开发一款4D NAND产品具有1TB(兆兆字节),就在这个时候今年的容量固态硬盘(SSD)</p><p>此外,它计划在明年将其72级企业级SSD升级至96级,以增强其竞争力</p><p>在基类和1TB TLC级QLC(四电平单元)的96 4D NAND 1兆兆位(TB),该产品也将在明年释放</p><p> NAND营销金,郑某 - 泰总经理说,“基于CTF 96个4D产品是业界同时gatchumyeo成本竞争力和性能的最高水平将是我们业务的一个里程碑,”最近完成在今年初始生产结束后“在忠清北道清州M15生产线正品我们将开始大规模生产,....